RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3646
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link