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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
14.2
17.6
写入速度,GB/s
13.6
12.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2994
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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