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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
14.2
17.4
写入速度,GB/s
13.6
18.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3731
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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