RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3731
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link