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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
14.2
17.8
写入速度,GB/s
13.6
13.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3399
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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