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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
16.1
写入速度,GB/s
13.6
11.8
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2739
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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