RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2739
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link