RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Porównaj
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,884.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,936.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,884.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
564
3132
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link