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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
2,936.9
15.5
写入速度,GB/s
1,884.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3132
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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