RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
3132
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link