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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
14.2
14.9
写入速度,GB/s
13.6
10.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2800
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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