RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Comparez
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
46
Autour de -39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
33
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
13.6
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2717
2800
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PEP22G6400LL 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link