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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

总分
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

总分
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB

差异 规格 评论

差异

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 11.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
    左右 1.25% 更高的带宽
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 46
    左右 -109% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17 left arrow 14.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2717 left arrow 3112

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
内存RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
内存RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
内存RAM