RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3112
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link