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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
13.5
写入速度,GB/s
13.6
11.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2891
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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