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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
14.2
14.9
写入速度,GB/s
13.6
10.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2768
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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