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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
46
左右 -77% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
26
读取速度,GB/s
14.2
14.0
写入速度,GB/s
13.6
8.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2163
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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