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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.8
15.0
写入速度,GB/s
11.3
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2875
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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