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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
17.2
写入速度,GB/s
13.6
12.6
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3256
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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