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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
14.2
14.2
写入速度,GB/s
13.6
7.9
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2565
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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