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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

总分
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 30
    左右 10% 更低的延时
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.5 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 19.0
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 14.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1936 left arrow 3671

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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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