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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
14.2
18.8
写入速度,GB/s
13.6
15.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3465
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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