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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
77
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
70
读取速度,GB/s
2,936.9
15.1
写入速度,GB/s
1,884.0
7.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1865
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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