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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
77
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
43
读取速度,GB/s
2,936.9
11.3
写入速度,GB/s
1,884.0
9.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2098
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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