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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3422
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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