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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3422
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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