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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
2,936.9
19.7
写入速度,GB/s
1,884.0
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3484
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 64T256020EU2.5C2 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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