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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
2,936.9
14.8
写入速度,GB/s
1,884.0
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3073
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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