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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
2,936.9
18.1
写入速度,GB/s
1,884.0
14.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3010
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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