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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
16.0
写入速度,GB/s
1,884.0
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3071
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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