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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
2,936.9
18.3
写入速度,GB/s
1,884.0
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3148
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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