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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
77
139
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
139
读取速度,GB/s
2,936.9
14.4
写入速度,GB/s
1,884.0
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1152
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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