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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
18.5
写入速度,GB/s
1,884.0
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3790
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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