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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
2,936.9
20.2
写入速度,GB/s
1,884.0
16.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3936
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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