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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
2,936.9
17.2
写入速度,GB/s
1,884.0
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3595
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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