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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
74
77
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
74
读取速度,GB/s
2,936.9
13.9
写入速度,GB/s
1,884.0
7.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
1679
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
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