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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
2,936.9
20.6
写入速度,GB/s
1,884.0
17.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3936
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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