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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.6
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
19.6
写入速度,GB/s
1,884.0
17.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
4000
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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