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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
2,936.9
13.6
写入速度,GB/s
1,884.0
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2650
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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