SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

总分
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 77
    左右 -185% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.0 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    77 left arrow 27
  • 读取速度,GB/s
    2,936.9 left arrow 17.3
  • 写入速度,GB/s
    1,884.0 left arrow 13.0
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 2735
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较