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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
2,936.9
16.8
写入速度,GB/s
1,884.0
13.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3097
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
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