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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
2,936.9
15.3
写入速度,GB/s
1,884.0
11.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2744
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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