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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
2,936.9
15.6
写入速度,GB/s
1,884.0
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3060
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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