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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
2,936.9
17.5
写入速度,GB/s
1,884.0
14.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2995
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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