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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
2,936.9
21.6
写入速度,GB/s
1,884.0
15.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3684
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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