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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
2,936.9
18.2
写入速度,GB/s
1,884.0
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3672
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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