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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
2,936.9
18.0
写入速度,GB/s
1,884.0
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3049
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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