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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
77
左右 -40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
55
读取速度,GB/s
2,936.9
19.5
写入速度,GB/s
1,884.0
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2274
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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