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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
14.8
写入速度,GB/s
1,884.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3422
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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