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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
差异
规格
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
2,936.9
9.4
写入速度,GB/s
1,884.0
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2110
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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