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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston KYXC0V-MID 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MID 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
15.2
写入速度,GB/s
1,884.0
11.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2903
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KYXC0V-MID 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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